Транзистор IRF840
Вкажіть у заявці контактні дані для оперативного зв'язку з підприємством.
Приклад заявки: “Хочу придбати 25 шт. транзистор IRF840 чи аналог. Будь ласка, уточніть ціну на вказаний товар.
Транзистор IRF840 потужний, n-канальний, МОП (MOSFET).
Призначений для роботи в регуляторах потужності, високочастотних імпульсних джерелах живлення, в перетворювачах та інверторах управління швидкістю електродвигунів, високочастотних та ультразвукових генераторах, звукових підсилювачах та інших радіоелектронних пристроях загального призначення.
Випускається у пластмасовому корпусі з жорсткими висновками.
Тип корпусу ТО-220AB.
Маса трохи більше 2,5 р.
Максимальна напруга сток-витік: 500 Ст.
Максимальний струм стоку: 8,0 А.
Статичний стік-витік-опір: 0,85 Ω.
Діапазон робочих температур від -55 до +150 °C.
Враховуючи підвищене навантаження на відділ продажу, ми просимо вас використати зручні способи для відправки заявок: заповнення форми замовлення на нашому сайті, написання листів на електронну пошту або надсилання повідомлень через Viber.
У категорії Транзистори імпортні можна знайти відповідну альтернативу для транзистори IRF840.
Будь-яке використання текстового та графічного матеріалу сторінки, де представлено позицію – транзистор IRF840 на сайті electro-cable.com.ua, підлягає узгодженню з правовласником.
Інші позначення для транзистора: IRF 840, IRF-840
Доставка
Замовлена Вами позиція – транзистор IRF840 буде надіслано через службу доставки Нова Пошта. Ми також надаємо можливість самовивезення з нашого складу або вибору інших варіантів доставки на вашу думку. Дізнайтесь подробиці про доставку у вашого персонального менеджера.
Технічні характеристики N-канального польового транзистора IRF840:
| Найменування транзистора | Структура | Максимальна напруга сток-витік V DS |
Максимальна напруга затвор-витік V GS |
Опір каналу у відкритому стані R DS(on) за V GS = 4.5/10В |
Струм стоку I D при T=25°C |
Заряд затвора Q g |
Температурний коефіцієнт опору R jc |
Максимальна потужність , що розсіюється P d |
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| У | У | Ω | А | нКл | °C/Вт | Вт | |||
| IRF840 | N-канал | 500 | 20 | 0.85 | 8.0 | 63 | – | 125 | TO-220AB |
Умовні позначення електричних параметрів транзисторів MOSFET:
• V DS – Максимальна напруга сток-витік. Максимальна напруга сток-витік, яка не викликає лавинного пробою із затвором, замкнутим на витік.
• V GS – Максимальна напруга затвора. Гранично допустима напруга між виводами затвора та витоку.
• RDS (on) – Максимальний опір сток-витік. Опір відкритого каналу стік-витік при вказаному струмі та напрузі затворів.
• I D – Постійний струм стоку. Максимальний рівень постійного безперервного струму стоку.
• Q g – Заряд затвора. Заряд, який потрібно повідомити затвору для відкриття транзистора.
• R jc – Температурний коефіцієнт опору кристал-корпус.
• P d – Максимальна потужність транзистора, що розсіюється.
Гарантія на виріб – транзистор IRF840
Залежно від типу виробу надається гарантія від 6 місяців до 5 років.
Підготовка
Після підтвердження замовлення товар дістається зі складу, перевіряється ще раз і, при необхідності, калібрується в лабораторії, комплектується технічною документацією та ЗІПом. За окремим запитом клієнта також проводиться повірка, калібрування або атестація з видачею свідоцтва Стандартметрології.
Упаковка
При упаковці транзистора IRF840 використовуються заводська та/або транспортна коробка. Використовуються гофрокартон, пінопласт та пухирчасто-повітряна плівка для надійного захисту. Іноді товар можна поставити в транспортних дерев'яних або фанерних ящиках. У разі габаритного постачання ми надаємо транспортування на палетах.
