Транзистор IRF820
Для оперативной связи оставьте в заявке данные компании и контактную информацию.
Пример заявки: “намерен заказать 5 шт. транзистор IRF820 или аналог. Просьба уточнить стоимость.”
Транзистор IRF820 мощный, n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 500 В.
Максимальный ток стока: 2,5 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 3,0 Ω.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.
С учётом повышенной нагрузки на отдел продаж, просим использовать удобные способы для отправки заявок: форма заказа на сайте, электронная почта или Viber.
В категории Транзисторы импортные можно найти подходящую альтернативу для транзистора IRF820.
Любое воспроизведение текстового и графического материала, приведенного на веб-странице транзистор IRF820 на сайте electro-cable.com.ua, требует предварительного согласования с правообладателем.
Альтернативные названия транзистора: IRF 820, IRF-820
Доставка
Позиция транзистор IRF820, которую вы заказали, будет отправлена ТК “Новая Почта”. Этот вариант доставки гарантирует оптимальные сроки и доступную стоимость. Возможны также самовывоз с нашего склада, курьерская доставка или выбор других служб доставки. Подробности о вариантах и условиях доставки доступны у вашего менеджера.
Технические характеристики N-канального полевого транзистора IRF820:
| Наименование транзистора | Структура | Максимальное напряжение сток-исток V DS |
Максимальное напряжение затвор-исток V GS |
Сопротивление канала в открытом состоянии R DS(on) при V GS = 4.5/10В |
Ток стока I D при T=25°C |
Заряд затвора Q g |
Температурный коэффициент сопротивления R jc |
Максимальная рассеиваемая мощность P d |
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| В | В | Ω | А | нКл | °C/Вт | Вт | |||
| IRF820 | N-канал | 500 | 20 | 3.0 | 2.5 | 24.0 | – | 50 | TO-220AB |
Условные обозначения электрических параметров MOSFET транзисторов:
• V DS – Максимальное напряжение сток-исток. Максимальное напряжения сток-исток, которое не вызывает лавинного пробоя с затвором, замкнутым на исток.
• V GS – Максимальное напряжение затвор-исток. Предельно допустимое напряжение между выводами затвора и истока.
• RDS (on) – Максимальное сопротивление сток-исток. Сопротивление открытого канала сток-исток при указанном токе и напряжении затвор- исток.
• I D – Постоянный ток стока. Максимальный уровень непрерывного постоянного тока стока.
• Q g – Заряд затвора. Заряд, который нужно сообщить затвору для открытия транзистора.
• R jc – Температурный коэффициент сопротивления кристалл-корпус.
• P d – Максимальная рассеиваемая мощность транзистора.
Гарантия на изделие – транзистор IRF820
В зависимости о типа изделия, на него распространятся гарантия от 6 месяцев до 5 лет. Также Вы можете приобрести дополнительную расширенную гарантию.
Подготовка
После подтверждения заказа, мы извлекаем товар со склада. После этого он проходит перепроверку и, если необходимо, калибровку в нашей лаборатории. Товар снабжается всей нужной технической документацией и комплектуется ЗИПом. По вашему запросу мы также можем провести поверку, калибровку или аттестацию с выдачей свидетельства Стандартметрологии.
Упаковка
При упаковке транзистора IRF820 у нас есть возможность использовать заводские или транспортные коробки. Мы применяем гофрокартон, пенопласт и пупырчато-воздушную пленку для обеспечения безопасности. В определенных ситуациях товар может быть поставлен в деревянных или фанерных ящиках. Также предусмотрена транспортировка на паллетах для крупногабаритных заказов.
