Транзистор IRFPE50

Цена по запросу 🛈
В наличии
Артикул: fw12962179 Категория: Транзисторы импортные

Для оперативной обратной связи в заявке укажите реквизиты предприятия и Ваши контактные данные.

Пример заказа: “приобретение транзистора IRFPE50 в количестве 10 шт. Пожалуйста, уточните цену на указанный товар.”

Транзистор IRFPE50 n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 800 В.
Максимальный ток стока: 7,8 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 1,2 Ω.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-247AC.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

Учитывая большую нагрузку на отдел продаж, мы рекомендуем использовать удобные способы подачи заявок: форма на сайте, электронная почта или Viber.

Для выбора аналога транзистора IRFPE50 перейдите в раздел Транзисторы импортные.

Копировать и распространять текстовый и графический материал на странице на транзистор IRFPE50 размещённого на electro-cable.com.ua разрешается только после письменного согласия правообладателя.

Другие обозначения для транзистора: IRFPE 50, IRFPE-50

Доставка

Заказанная Вами позиция – транзистор IRFPE50 будет отправлена через службу доставки “Новая Почта”. Мы также предоставляем возможность самовывоза с нашего склада или выбора других вариантов доставки по вашему усмотрению. Узнайте подробности о доставке у вашего персонального менеджера.

Технические характеристики N-канального полевого транзистора IRFPE50:

Наименование транзистора Структура Максимальное
напряжение сток-исток
V DS
Максимальное
напряжение затвор-исток
V GS
Сопротивление канала в открытом состоянии
R DS(on) при V GS = 4.5/10В
Ток стока
I D при T=25°C
Заряд затвора
Q g
Температурный
коэффициент
сопротивления
R jc
Максимальная
рассеиваемая
мощность
P d
Тип корпуса
В В Ω А нКл °C/Вт Вт
IRFPE50 N-канал 800 20 1.2 7.8 200 190 TO-247AC

Условные обозначения электрических параметров MOSFET транзисторов:
V DS – Максимальное напряжение сток-исток. Максимальное напряжения сток-исток, которое не вызывает лавинного пробоя с затвором, замкнутым на исток.
V GS – Максимальное напряжение затвор-исток. Предельно допустимое напряжение между выводами затвора и истока.
RDS (on) – Максимальное сопротивление сток-исток. Сопротивление открытого канала сток-исток при указанном токе и напряжении затвор- исток.
I D – Постоянный ток стока. Максимальный уровень непрерывного постоянного тока стока.
Q g – Заряд затвора. Заряд, который нужно сообщить затвору для открытия транзистора.
R jc – Температурный коэффициент сопротивления кристалл-корпус.
P d – Максимальная рассеиваемая мощность транзистора.

Гарантия на изделие – транзистор IRFPE50

В зависимости от типа изделия предусмотрена гарантия от 6 месяцев до 5 лет. Также у вас есть возможность заказать дополнительное расширенное гарантийное обслуживание.

Подготовка

После подтверждения вашего заказа, наш товар извлекается со склада и подвергается внимательной проверке. При необходимости проводится калибровка в нашей лаборатории. Товар снабжается всей необходимой технической документацией и дополняется запасными частями. На ваш запрос, мы также можем провести поверку, калибровку или аттестацию, выдав соответствующее свидетельство от Стандартметрологии.

Упаковка

Упаковка транзистора IRFPE50 может включать заводскую и/или транспортную коробку. Мы используем гофрокартон, пенопласт и пупырчато-воздушную пленку для надежной упаковки. По необходимости товар может поставляться в деревянных или фанерных ящиках. Для крупногабаритных поставок доступна транспортировка на паллетах.