Транзистор IRFP250N

Для оперативной обратной связи, просим включить в ваш запрос реквизиты вашей компании и контактные данные. Это поможет нам быстрее обработать ваш запрос и предоставить необходимую информацию по интересующим вас товарам или услугам.

Пример заказа: “приобретение транзистора IRFP250N в количестве 10 шт. Пожалуйста, уточните цену на указанный товар.”

Транзистор IRFP250N n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 200 В.
Максимальный ток стока: 30,0 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,075 Ω.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-247AC.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

С учётом повышенной нагрузки на отдел продаж, просим использовать удобные способы для отправки заявок: форма заказа на сайте, электронная почта или Viber.

В категории Транзисторы импортные можно найти подходящую альтернативу для транзистора IRFP250N.

Копировать и распространять текстовый и графический материал на странице на транзистор IRFP250N размещённого на electro-cable.com.ua разрешается только после письменного согласия правообладателя.

Известные альтернативные наименования для транзистора: IRFP 250N, IRFP-250N

Доставка

Позиция транзистор IRFP250N, которую вы заказали, будет отправлена ТК “Новая Почта”. Этот вариант доставки гарантирует оптимальные сроки и доступную стоимость. Возможны также самовывоз с нашего склада, курьерская доставка или выбор других служб доставки. Подробности о вариантах и условиях доставки доступны у вашего менеджера.

Технические характеристики N-канального полевого транзистора IRFP250N:

Наименование транзистора	Структура	Максимальное напряжение сток-исток V DS	Максимальное напряжение затвор-исток V GS	Сопротивление канала в открытом состоянии R DS(on) при V GS = 4.5/10В	Ток стока I D при T=25°C	Заряд затвора Q g	Температурный коэффициент сопротивления R jc	Максимальная рассеиваемая мощность P d	Тип корпуса
		В	В	mΩ	А	нКл	°C/Вт	Вт
IRFP250N	N-канал	200	20	75.0	30	82.0	0.70	214	TO-247AC

Условные обозначения электрических параметров MOSFET транзисторов:
• V _DS – Максимальное напряжение сток-исток. Максимальное напряжения сток-исток, которое не вызывает лавинного пробоя с затвором, замкнутым на исток.
• V _GS – Максимальное напряжение затвор-исток. Предельно допустимое напряжение между выводами затвора и истока.
• RDS _(on) – Максимальное сопротивление сток-исток. Сопротивление открытого канала сток-исток при указанном токе и напряжении затвор- исток.
• I _D – Постоянный ток стока. Максимальный уровень непрерывного постоянного тока стока.
• Q _g – Заряд затвора. Заряд, который нужно сообщить затвору для открытия транзистора.
• R _jc – Температурный коэффициент сопротивления кристалл-корпус.
• P _d – Максимальная рассеиваемая мощность транзистора.

Гарантия на изделие – транзистор IRFP250N

В зависимости о типа изделия, на него распространятся гарантия от 6 месяцев до 5 лет. Также Вы можете приобрести дополнительную расширенную гарантию.

Подготовка

После подтверждения вашего заказа, товар извлекается со склада и проходит дополнительную проверку. При необходимости, товар проходит процедуру калибровки в нашей лаборатории. Весь процесс включает в себя не только подготовку технической документации и комплектацию запасными частями, но и заботливое отношение к каждой детали. По вашему запросу, мы также предоставляем услуги по поверке, калибровке или аттестации, выдав соответствующее свидетельство от Стандартметрологии.

Упаковка

При упаковке транзистора IRFP250N у нас есть возможность использовать заводские или транспортные коробки. Мы применяем гофрокартон, пенопласт и пупырчато-воздушную пленку для обеспечения безопасности. В определенных ситуациях товар может быть поставлен в деревянных или фанерных ящиках. Также предусмотрена транспортировка на паллетах для крупногабаритных заказов.