Транзистор IRFD110
Для оперативной обратной связи укажите контакты предприятия в заявке.
Пример заявки: “намерен заказать 24 шт. транзистор IRFD110 или аналог. Просьба уточнить стоимость.”
Транзистор IRFD110 n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 100 В.
Максимальный ток стока: 1,0 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,54 Ω.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: HD-1 (DIP-4).
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.
Из-за большого количества заявок в отделе продаж, просим воспользоваться удобными способами отправки: форма заказа на сайте, письма на почту или Viber.
Ищете аналоги для транзистора IRFD110? У нас есть разнообразие моделей, для сравнения.
Любое использование текстового и графического материала страницы, где представленна позиция – транзистор IRFD110 на сайте electro-cable.com.ua, подлежит согласованию с правообладателем.
Дополнительные наименования для транзистора: IRFD 110, IRFD-110
Доставка
Приобретенный вами товар транзистор IRFD110 будет отправлен вами через ТК “Новая Почта”. Это оптимальное решение с точки зрения цены и сроков доставки. Кроме того, у вас есть возможность выбрать самовывоз, курьерскую доставку или другую транспортную компанию. Подробности по доставке доступны у вашего персонального менеджера.
Технические характеристики N-канального полевого транзистора IRFD110:
| Наименование транзистора | Структура | Максимальное напряжение сток-исток V DS |
Максимальное напряжение затвор-исток V GS |
Сопротивление канала в открытом состоянии R DS(on) при V GS = 4.5/10В |
Ток стока I D при T=25°C |
Заряд затвора Q g |
Температурный коэффициент сопротивления R jc |
Максимальная рассеиваемая мощность P d |
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| В | В | mΩ | А | нКл | °C/Вт | Вт | |||
| IRFD110 | N-канал | 100 | 20 | 54.0 | 1.0 | 8.3 | – | 1.3 | HD-1 (DIP-4) |
Условные обозначения электрических параметров MOSFET транзисторов:
• V DS – Максимальное напряжение сток-исток. Максимальное напряжения сток-исток, которое не вызывает лавинного пробоя с затвором, замкнутым на исток.
• V GS – Максимальное напряжение затвор-исток. Предельно допустимое напряжение между выводами затвора и истока.
• RDS (on) – Максимальное сопротивление сток-исток. Сопротивление открытого канала сток-исток при указанном токе и напряжении затвор-исток.
• I D – Постоянный ток стока. Максимальный уровень непрерывного постоянного тока стока.
• Q g – Заряд затвора. Заряд, который нужно сообщить затвору для открытия транзистора.
• R jc – Температурный коэффициент сопротивления кристалл-корпус.
• P d – Максимальная рассеиваемая мощность транзистора.
Гарантия на изделие – транзистор IRFD110
Гарантийный срок на изделие варьируется от 6 месяцев до 5 лет в зависимости от типа продукции. Кроме того, у вас есть возможность докупить расширенную гарантию.
Подготовка
После подтверждения вашего заказа, товар извлекается со склада и проходит дополнительную проверку. При необходимости, товар проходит процедуру калибровки в нашей лаборатории. Весь процесс включает в себя не только подготовку технической документации и комплектацию запасными частями, но и заботливое отношение к каждой детали. По вашему запросу, мы также предоставляем услуги по поверке, калибровке или аттестации, выдав соответствующее свидетельство от Стандартметрологии.
Упаковка
Упаковка транзистора IRFD110 может включать заводскую и/или транспортную коробку. Мы используем гофрокартон, пенопласт и пупырчато-воздушную пленку для надежной упаковки. По необходимости товар может поставляться в деревянных или фанерных ящиках. Для крупногабаритных поставок доступна транспортировка на паллетах.
