Транзистор IRFBC30

Цена по запросу 🛈
В наличии
Артикул: fw12962148 Категория: Транзисторы импортные

Для оперативной обратной связи в заявке укажите реквизиты предприятия и Ваши контактные данные.

Пример заказа: транзистор IRFBC30 16 шт. Уточните цену.

Транзистор IRFBC30 мощный, n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях.
Максимальное напряжение сток-исток: 600 В.
Максимальный ток стока: 3,6 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 2,2 Ω.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

Учитывая повышенную нагрузку на отдел продаж, мы просим вас использовать удобные способы для отправки заявок: заполнение формы заказа на нашем сайте, написание писем на электронную почту или отправка сообщений через Viber.

В категории Транзисторы импортные можно найти аналог для транзистора IRFBC30.

Копировать и распространять текстовый и графический материал на странице на транзистор IRFBC30 размещённого на electro-cable.com.ua разрешается только после письменного согласия правообладателя.

Дополнительные варианты обозначения для транзистора: IRFBC 30, IRFBC-30

Доставка

Позиция транзистор IRFBC30, которую вы заказали, будет отправлена ТК “Новая Почта”. Этот вариант доставки гарантирует оптимальные сроки и доступную стоимость. Возможны также самовывоз с нашего склада, курьерская доставка или выбор других служб доставки. Подробности о вариантах и условиях доставки доступны у вашего менеджера.

Технические характеристики N-канального полевого транзистора IRFBC30:

Наименование транзистора Структура Максимальное
напряжение сток-исток
V DS
Максимальное
напряжение затвор-исток
V GS
Сопротивление канала в открытом состоянии
R DS(on) при V GS = 4.5/10В
Ток стока
I D при T=25°C
Заряд затвора
Q g
Температурный
коэффициент
сопротивления
R jc
Максимальная
рассеиваемая
мощность
P d
Тип корпуса
В В Ω А нКл °C/Вт Вт
IRFBC30 N-канал 600 20 2.2 3.6 31 74 TO-220AB

Условные обозначения электрических параметров MOSFET транзисторов:
V DS – Максимальное напряжение сток-исток. Максимальное напряжения сток-исток, которое не вызывает лавинного пробоя с затвором, замкнутым на исток.
V GS – Максимальное напряжение затвор-исток. Предельно допустимое напряжение между выводами затвора и истока.
RDS (on) – Максимальное сопротивление сток-исток. Сопротивление открытого канала сток-исток при указанном токе и напряжении затвор- исток.
I D – Постоянный ток стока. Максимальный уровень непрерывного постоянного тока стока.
Q g – Заряд затвора. Заряд, который нужно сообщить затвору для открытия транзистора.
R jc – Температурный коэффициент сопротивления кристалл-корпус.
P d – Максимальная рассеиваемая мощность транзистора.

Гарантия на изделие – транзистор IRFBC30

В зависимости от типа изделия предоставляется гарантия от 6 месяцев до 5 лет. Кроме того, вы можете приобрести расширенную гарантию.

Подготовка

После подтверждения вашего заказа, наш товар извлекается со склада и подвергается внимательной проверке. При необходимости проводится калибровка в нашей лаборатории. Товар снабжается всей необходимой технической документацией и дополняется запасными частями. На ваш запрос, мы также можем провести поверку, калибровку или аттестацию, выдав соответствующее свидетельство от Стандартметрологии.

Упаковка

Упаковка транзистора IRFBC30 может включать заводскую и/или транспортную коробку. Мы используем гофрокартон, пенопласт и пупырчато-воздушную пленку для надежной упаковки. По необходимости товар может поставляться в деревянных или фанерных ящиках. Для крупногабаритных поставок доступна транспортировка на паллетах.