Транзистор IRF840A

Цена по запросу 🛈
В наличии
Артикул: fw12962142 Категория: Транзисторы импортные

Оставьте реквизиты компании и Ваши контактные данные в заявке для оперативной связи.

Пример заказа: “приобретение транзистора IRF840A в количестве 7 шт. Пожалуйста, уточните цену на указанный товар.”

Транзистор  IRF840A мощный, n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для работы в регуляторах мощности, высокочастотных импульсных источниках питания, в преобразователях и инверторах управления скоростью электродвигателей, высокочастотных и ультразвуковых генераторах, звуковых усилителях и в других радиоэлектронных устройствах общего назначения.
Выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Масса не более 2,5 г.

Максимальное напряжение сток-исток: 500 В.
Максимальный ток стока: 8,0 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,85 Ω.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

Учитывая большую нагрузку на отдел продаж, мы рекомендуем использовать удобные способы подачи заявок: форма на сайте, электронная почта или Viber.

Ищете замену для транзистора IRF840A? Загляните в раздел Транзисторы импортные.

Любое воспроизведение текстового и графического материала, приведенного на веб-странице транзистор IRF840A на сайте electro-cable.com.ua, требует предварительного согласования с правообладателем.

Альтернативные названия транзистора: IRF 840A, IRF-840A

Доставка

Оплаченный Вами товар транзистор IRF840A поставляется ТК «Новая Почта». Это оптимальное решение по цене и строкам доставки. Также, при необходимости, возможен самовывоз с нашего склада, курьерская доставка или использование других транспортных компаний. Детали доставки Вы можете обговорить с вашим персональным менеджером.

Технические характеристики N-канального полевого транзистора IRF840:

Наименование транзистора Структура Максимальное
напряжение сток-исток
V DS
Максимальное
напряжение затвор-исток
V GS
Сопротивление канала в открытом состоянии
R DS(on) при V GS = 4.5/10В
Ток стока
I D при T=25°C
Заряд затвора
Q g
Температурный
коэффициент
сопротивления
R jc
Максимальная
рассеиваемая
мощность
P d
Тип корпуса
В В Ω А нКл °C/Вт Вт
IRF840 N-канал 500 20 0.85 8.0 63 125 TO-220AB

Условные обозначения электрических параметров MOSFET транзисторов:
V DS – Максимальное напряжение сток-исток. Максимальное напряжения сток-исток, которое не вызывает лавинного пробоя с затвором, замкнутым на исток.
V GS – Максимальное напряжение затвор-исток. Предельно допустимое напряжение между выводами затвора и истока.
RDS (on) – Максимальное сопротивление сток-исток. Сопротивление открытого канала сток-исток при указанном токе и напряжении затвор- исток.
I D – Постоянный ток стока. Максимальный уровень непрерывного постоянного тока стока.
Q g – Заряд затвора. Заряд, который нужно сообщить затвору для открытия транзистора.
R jc – Температурный коэффициент сопротивления кристалл-корпус.
P d – Максимальная рассеиваемая мощность транзистора.

Гарантия на изделие – транзистор IRF840A

В зависимости от типа изделия предусмотрена гарантия от 6 месяцев до 5 лет. Также у вас есть возможность заказать дополнительное расширенное гарантийное обслуживание.

Подготовка

После подтверждения вашего заказа, товар извлекается со склада для дополнительной проверки. При необходимости он калибруется в лаборатории. Товар комплектуется всей необходимой технической документацией и ЗИПом. По вашему запросу мы также предоставляем услуги по поверке, калибровке или аттестации с выдачей свидетельства Стандартметрологии.

Упаковка

Упаковка транзистора IRF840A может состоять из заводской и/или транспортной коробки. При упаковке используется гофрокартон, пенопласт, пупырчато-воздушную пленку. В отдельных случаях возможна поставка товара в транспортных деревяных или фанерных ящиках. Для габаритных поставок возможна транспортировка на паллетах.