Транзистор IRF840

Цена по запросу 🛈
В наличии
Артикул: fw12976364 Категория: Транзисторы импортные

Укажите в заявке контактные данные для оперативной связи с предприятием.

Пример заявки: “Хочу приобрести 25 шт. транзистор IRF840 или аналог. Пожалуйста, уточните цену на указанный товар.”

Транзистор IRF840 мощный, n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для работы в регуляторах мощности, высокочастотных импульсных источниках питания, в преобразователях и инверторах управления скоростью электродвигателей, высокочастотных и ультразвуковых генераторах, звуковых усилителях и в других радиоэлектронных устройствах общего назначения.
Выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Масса не более 2,5 г.

Максимальное напряжение сток-исток: 500 В.
Максимальный ток стока: 8,0 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,85 Ω.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

Учитывая повышенную нагрузку на отдел продаж, мы просим вас использовать удобные способы для отправки заявок: заполнение формы заказа на нашем сайте, написание писем на электронную почту или отправка сообщений через Viber.

В категории Транзисторы импортные можно найти подходящую альтернативу для транзистора IRF840.

Любое использование текстового и графического материала страницы, где представленна позиция – транзистор IRF840 на сайте electro-cable.com.ua, подлежит согласованию с правообладателем.

Другие обозначения для транзистора: IRF 840, IRF-840

Доставка

Заказанная Вами позиция – транзистор IRF840 будет отправлена через службу доставки “Новая Почта”. Мы также предоставляем возможность самовывоза с нашего склада или выбора других вариантов доставки по вашему усмотрению. Узнайте подробности о доставке у вашего персонального менеджера.

Технические характеристики N-канального полевого транзистора IRF840:

Наименование транзистора Структура Максимальное
напряжение сток-исток
V DS
Максимальное
напряжение затвор-исток
V GS
Сопротивление канала в открытом состоянии
R DS(on) при V GS = 4.5/10В
Ток стока
I D при T=25°C
Заряд затвора
Q g
Температурный
коэффициент
сопротивления
R jc
Максимальная
рассеиваемая
мощность
P d
Тип корпуса
В В Ω А нКл °C/Вт Вт
IRF840 N-канал 500 20 0.85 8.0 63 125 TO-220AB

Условные обозначения электрических параметров MOSFET транзисторов:
V DS – Максимальное напряжение сток-исток. Максимальное напряжения сток-исток, которое не вызывает лавинного пробоя с затвором, замкнутым на исток.
V GS – Максимальное напряжение затвор-исток. Предельно допустимое напряжение между выводами затвора и истока.
RDS (on) – Максимальное сопротивление сток-исток. Сопротивление открытого канала сток-исток при указанном токе и напряжении затвор- исток.
I D – Постоянный ток стока. Максимальный уровень непрерывного постоянного тока стока.
Q g – Заряд затвора. Заряд, который нужно сообщить затвору для открытия транзистора.
R jc – Температурный коэффициент сопротивления кристалл-корпус.
P d – Максимальная рассеиваемая мощность транзистора.

Гарантия на изделие – транзистор IRF840

В зависимости от типа изделия предоставляется гарантия от 6 месяцев до 5 лет. Кроме того, вы можете приобрести расширенную гарантию.

Подготовка

После подтверждения заказа товар достается со склада, перепроверяется и, при необходимости, калибруется в лаборатории, комплектуется технической документацией и ЗИПом. По отдельному запросу клиента также делается поверка, калибровка или аттестация с выдачей свидетельства Стандартметрологии.

Упаковка

При упаковке транзистора IRF840 применяются заводская и/или транспортная коробка. Используются гофрокартон, пенопласт и пупырчато-воздушная пленка для надежной защиты. Иногда товар может быть поставлен в транспортных деревянных или фанерных ящиках. В случае габаритных поставок мы предоставляем транспортировку на паллетах.