Транзистор IRF830
Укажите в заявке контактную информацию для оперативной обратной связи.
Пример заявки: “Хочу приобрести 29 шт. транзистор IRF830 или аналог. Пожалуйста, уточните цену на указанный товар.”
Транзистор IRF830 мощный, n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 500 В.
Максимальный ток стока: 4,5 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 1,5 Ω.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.
Учитывая большой поток заказов, просьба выбирать удобные способы отправки заявок: через форму на сайте, на почту или в Viber.
В категории Транзисторы импортные можно найти аналог для транзистора IRF830.
Публикация и использование текста и изображений с веб-страницы транзистора IRF830 (electro-cable.com.ua), разрешается лишь при наличии письменного разрешения владельца авторских прав.
Дополнительные варианты обозначения для транзистора: IRF 830, IRF-830
Доставка
Оплаченный Вами товар транзистор IRF830 поставляется ТК «Новая Почта». Это оптимальное решение по цене и строкам доставки. Также, при необходимости, возможен самовывоз с нашего склада, курьерская доставка или использование других транспортных компаний. Детали доставки Вы можете обговорить с вашим персональным менеджером.
Технические характеристики N-канального полевого транзистора IRF830:
| Наименование транзистора | Структура | Максимальное напряжение сток-исток V DS |
Максимальное напряжение затвор-исток V GS |
Сопротивление канала в открытом состоянии R DS(on) при V GS = 4.5/10В |
Ток стока I D при T=25°C |
Заряд затвора Q g |
Температурный коэффициент сопротивления R jc |
Максимальная рассеиваемая мощность P d |
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| В | В | Ω | А | нКл | °C/Вт | Вт | |||
| IRF830 | N-канал | 500 | 20 | 1.5 | 4.5 | 38.0 | – | 74 | TO-220AB |
Условные обозначения электрических параметров MOSFET транзисторов:
• V DS – Максимальное напряжение сток-исток. Максимальное напряжения сток-исток, которое не вызывает лавинного пробоя с затвором, замкнутым на исток.
• V GS – Максимальное напряжение затвор-исток. Предельно допустимое напряжение между выводами затвора и истока.
• RDS (on) – Максимальное сопротивление сток-исток. Сопротивление открытого канала сток-исток при указанном токе и напряжении затвор- исток.
• I D – Постоянный ток стока. Максимальный уровень непрерывного постоянного тока стока.
• Q g – Заряд затвора. Заряд, который нужно сообщить затвору для открытия транзистора.
• R jc – Температурный коэффициент сопротивления кристалл-корпус.
• P d – Максимальная рассеиваемая мощность транзистора.
Гарантия на изделие – транзистор IRF830
В зависимости от типа изделия предусмотрена гарантия от 6 месяцев до 5 лет. Также у вас есть возможность заказать дополнительное расширенное гарантийное обслуживание.
Подготовка
После подтверждения вашего заказа, товар извлекается со склада для дополнительной проверки. При необходимости он калибруется в лаборатории. Товар комплектуется всей необходимой технической документацией и ЗИПом. По вашему запросу мы также предоставляем услуги по поверке, калибровке или аттестации с выдачей свидетельства Стандартметрологии.
Упаковка
Упаковка транзистора IRF830 может состоять из заводской и/или транспортной коробки. При упаковке используется гофрокартон, пенопласт, пупырчато-воздушную пленку. В отдельных случаях возможна поставка товара в транспортных деревяных или фанерных ящиках. Для габаритных поставок возможна транспортировка на паллетах.
