Транзистор IRF730
Укажите в заявке контактную информацию для оперативной обратной связи.
Пример заявки: “намерен заказать 14 шт. транзистор IRF730 или аналог. Просьба уточнить стоимость.”
Транзистор IRF730 мощный, n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 400 В.
Максимальный ток стока: 5,5 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 1,0 Ω.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.
Из-за большого количества заявок в отделе продаж, просим воспользоваться удобными способами отправки: форма заказа на сайте, письма на почту или Viber.
В категории Транзисторы импортные можно найти аналог для транзистора IRF730.
Публикация и использование текста и изображений с веб-страницы транзистора IRF730 (electro-cable.com.ua), разрешается лишь при наличии письменного разрешения владельца авторских прав.
Известные альтернативные наименования для транзистора: IRF 730, IRF-730
Доставка
Позиция транзистор IRF730, которую вы заказали, будет отправлена ТК “Новая Почта”. Этот вариант доставки гарантирует оптимальные сроки и доступную стоимость. Возможны также самовывоз с нашего склада, курьерская доставка или выбор других служб доставки. Подробности о вариантах и условиях доставки доступны у вашего менеджера.
Технические характеристики N-канального полевого транзистора IRF730:
| Наименование транзистора | Структура | Максимальное напряжение сток-исток V DS |
Максимальное напряжение затвор-исток V GS |
Сопротивление канала в открытом состоянии R DS(on) при V GS = 4.5/10В |
Ток стока I D при T=25°C |
Заряд затвора Q g |
Температурный коэффициент сопротивления R jc |
Максимальная рассеиваемая мощность P d |
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| В | В | Ω | А | нКл | °C/Вт | Вт | |||
| IRF730 | N-канал | 400 | 20 | 1.0 | 5.5 | 24 | – | 100 | TO-220AB |
Условные обозначения электрических параметров MOSFET транзисторов:
• V DS – Максимальное напряжение сток-исток. Максимальное напряжения сток-исток, которое не вызывает лавинного пробоя с затвором, замкнутым на исток.
• V GS – Максимальное напряжение затвор-исток. Предельно допустимое напряжение между выводами затвора и истока.
• RDS (on) – Максимальное сопротивление сток-исток. Сопротивление открытого канала сток-исток при указанном токе и напряжении затвор- исток.
• I D – Постоянный ток стока. Максимальный уровень непрерывного постоянного тока стока.
• Q g – Заряд затвора. Заряд, который нужно сообщить затвору для открытия транзистора.
• R jc – Температурный коэффициент сопротивления кристалл-корпус.
• P d – Максимальная рассеиваемая мощность транзистора.
Гарантия на изделие – транзистор IRF730
Гарантийный срок на изделие варьируется от 6 месяцев до 5 лет в зависимости от типа продукции. Кроме того, у вас есть возможность докупить расширенную гарантию.
Подготовка
После подтверждения вашего заказа, наш товар извлекается со склада и подвергается внимательной проверке. При необходимости проводится калибровка в нашей лаборатории. Товар снабжается всей необходимой технической документацией и дополняется запасными частями. На ваш запрос, мы также можем провести поверку, калибровку или аттестацию, выдав соответствующее свидетельство от Стандартметрологии.
Упаковка
При упаковке транзистора IRF730 применяются заводская и/или транспортная коробка. Используются гофрокартон, пенопласт и пупырчато-воздушная пленка для надежной защиты. Иногда товар может быть поставлен в транспортных деревянных или фанерных ящиках. В случае габаритных поставок мы предоставляем транспортировку на паллетах.
