Транзистор IRF710

Цена по запросу 🛈
В наличии
Артикул: fw12976343 Категория: Транзисторы импортные

Для оперативной обратной связи, просим включить в ваш запрос реквизиты вашей компании и контактные данные. Это поможет нам быстрее обработать ваш запрос и предоставить необходимую информацию по интересующим вас товарам или услугам.

Пример заказа: “приобретение транзистора IRF710 в количестве 5 шт. Пожалуйста, уточните цену на указанный товар.”

Транзистор IRF710 мощный, n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 400 В.
Максимальный ток стока: 2,0 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 3,6 Ω.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

С учётом повышенной нагрузки на отдел продаж, просим использовать удобные способы для отправки заявок: форма заказа на сайте, электронная почта или Viber.

Для выбора аналога транзистора IRF710 перейдите в раздел Транзисторы импортные.

Любое использование текстового и графического материала страницы, где представленна позиция – транзистор IRF710 на сайте electro-cable.com.ua, подлежит согласованию с правообладателем.

Дополнительные наименования для транзистора: IRF 710, IRF-710

Доставка

Оплаченный Вами товар транзистор IRF710 поставляется ТК «Новая Почта». Это оптимальное решение по цене и строкам доставки. Также, при необходимости, возможен самовывоз с нашего склада, курьерская доставка или использование других транспортных компаний. Детали доставки Вы можете обговорить с вашим персональным менеджером.

Технические характеристики N-канального полевого транзистора IRF710:

Наименование транзистора Структура Максимальное
напряжение сток-исток
V DS
Максимальное
напряжение затвор-исток
V GS
Сопротивление канала в открытом состоянии
R DS(on) при V GS = 4.5/10В
Ток стока
I D при T=25°C
Заряд затвора
Q g
Температурный
коэффициент
сопротивления
R jc
Максимальная
рассеиваемая
мощность
P d
Тип корпуса
В В Ω А нКл °C/Вт Вт
IRF710 N-канал 400 20 3.6 2.0 1.2 36 TO-220AB

Условные обозначения электрических параметров MOSFET транзисторов:
V DS – Максимальное напряжение сток-исток. Максимальное напряжения сток-исток, которое не вызывает лавинного пробоя с затвором, замкнутым на исток.
V GS – Максимальное напряжение затвор-исток. Предельно допустимое напряжение между выводами затвора и истока.
RDS (on) – Максимальное сопротивление сток-исток. Сопротивление открытого канала сток-исток при указанном токе и напряжении затвор- исток.
I D – Постоянный ток стока. Максимальный уровень непрерывного постоянного тока стока.
Q g – Заряд затвора. Заряд, который нужно сообщить затвору для открытия транзистора.
R jc – Температурный коэффициент сопротивления кристалл-корпус.
P d – Максимальная рассеиваемая мощность транзистора.

Гарантия на изделие – транзистор IRF710

Действует гарантийный срок от 6 месяцев до 5 лет в зависимости от типа товара. Приобретая у нас, вы можете расширить гарантию на дополнительные годы.

Подготовка

После подтверждения заказа, мы извлекаем товар со склада. После этого он проходит перепроверку и, если необходимо, калибровку в нашей лаборатории. Товар снабжается всей нужной технической документацией и комплектуется ЗИПом. По вашему запросу мы также можем провести поверку, калибровку или аттестацию с выдачей свидетельства Стандартметрологии.

Упаковка

Упаковка транзистора IRF710 может состоять из заводской и/или транспортной коробки. При упаковке используется гофрокартон, пенопласт, пупырчато-воздушную пленку. В отдельных случаях возможна поставка товара в транспортных деревяных или фанерных ящиках. Для габаритных поставок возможна транспортировка на паллетах.