Транзистор IRF640N
Укажите в заявке контактную информацию для оперативной обратной связи.
Пример заявки: “намерен заказать 21 шт. транзистор IRF640N или аналог. Просьба уточнить стоимость.”
Транзистор IRF640N n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для работы в регуляторах мощности, высокочастотных импульсных источниках питания, в преобразователях и инверторах управления скоростью электродвигателей, высокочастотных и ультразвуковых генераторах, звуковых усилителях и в других радиоэлектронных устройствах общего назначения.
Выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Масса не более 2,5 г.
Максимальное напряжение сток-исток: 200 В.
Максимальный ток стока: 18,0 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,15 Ω.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.
Из-за большого количества заявок в отделе продаж, просим воспользоваться удобными способами отправки: форма заказа на сайте, письма на почту или Viber.
Чтобы подобрать аналог для транзистора IRF640N вы можете перейти в категорию Транзисторы импортные.
Любое использование текстового и графического материала страницы, где представленна позиция – транзистор IRF640N на сайте electro-cable.com.ua, подлежит согласованию с правообладателем.
Дополнительные наименования для транзистора: IRF 640N, IRF-640N
Доставка
Приобретенный вами товар транзистор IRF640N будет отправлен вами через ТК “Новая Почта”. Это оптимальное решение с точки зрения цены и сроков доставки. Кроме того, у вас есть возможность выбрать самовывоз, курьерскую доставку или другую транспортную компанию. Подробности по доставке доступны у вашего персонального менеджера.
Технические характеристики N-канального полевого транзистора IRF640N:
| Наименование транзистора | Структура | Максимальное напряжение сток-исток V DS |
Максимальное напряжение затвор-исток V GS |
Сопротивление канала в открытом состоянии R DS(on) при V GS = 4.5/10В |
Ток стока I D при T=25°C |
Заряд затвора Q g |
Температурный коэффициент сопротивления R jc |
Максимальная рассеиваемая мощность P d |
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| В | В | mΩ | А | нКл | °C/Вт | Вт | |||
| IRF640N | N-канал | 200 | 20 | 150.0 | 18 | 44.7 | 1.00 | 150 | TO-220AB |
Условные обозначения электрических параметров MOSFET транзисторов:
• V DS – Максимальное напряжение сток-исток. Максимальное напряжения сток-исток, которое не вызывает лавинного пробоя с затвором, замкнутым на исток.
• V GS – Максимальное напряжение затвор-исток. Предельно допустимое напряжение между выводами затвора и истока.
• RDS (on) – Максимальное сопротивление сток-исток. Сопротивление открытого канала сток-исток при указанном токе и напряжении затвор- исток.
• I D – Постоянный ток стока. Максимальный уровень непрерывного постоянного тока стока.
• Q g – Заряд затвора. Заряд, который нужно сообщить затвору для открытия транзистора.
• R jc – Температурный коэффициент сопротивления кристалл-корпус.
• P d – Максимальная рассеиваемая мощность транзистора.
Гарантия на изделие – транзистор IRF640N
Гарантийный срок на изделие варьируется от 6 месяцев до 5 лет в зависимости от типа продукции. Кроме того, у вас есть возможность докупить расширенную гарантию.
Подготовка
После подтверждения заказа товар достается со склада, перепроверяется и, при необходимости, калибруется в лаборатории, комплектуется технической документацией и ЗИПом. По отдельному запросу клиента также делается поверка, калибровка или аттестация с выдачей свидетельства Стандартметрологии.
Упаковка
При упаковке транзистора IRF640N у нас есть возможность использовать заводские или транспортные коробки. Мы применяем гофрокартон, пенопласт и пупырчато-воздушную пленку для обеспечения безопасности. В определенных ситуациях товар может быть поставлен в деревянных или фанерных ящиках. Также предусмотрена транспортировка на паллетах для крупногабаритных заказов.
