Транзистор IRF640
Укажите в заявке контактную информацию для оперативной обратной связи.
Пример заявки: “Хочу приобрести 19 шт. транзистор IRF640 или аналог. Пожалуйста, уточните цену на указанный товар.”
Транзистор IRF640 n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для работы в регуляторах мощности, высокочастотных импульсных источниках питания, в преобразователях и инверторах управления скоростью электродвигателей, высокочастотных и ультразвуковых генераторах, звуковых усилителях и в других радиоэлектронных устройствах общего назначения.
Выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Масса не более 2,5 г.
Максимальное напряжение сток-исток: 200 В.
Максимальный ток стока: 18,0 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,18 Ω.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.
Учитывая повышенную нагрузку на отдел продаж, мы просим вас использовать удобные способы для отправки заявок: заполнение формы заказа на нашем сайте, написание писем на электронную почту или отправка сообщений через Viber.
Для подбора аналога транзистора IRF640, перейдите в раздел Транзисторы импортные.
Любое воспроизведение текстового и графического материала, приведенного на веб-странице транзистор IRF640 на сайте electro-cable.com.ua, требует предварительного согласования с правообладателем.
Дополнительные наименования для транзистора: IRF 640, IRF-640
Доставка
Заказанная Вами позиция – транзистор IRF640 будет отправлена через службу доставки “Новая Почта”. Мы также предоставляем возможность самовывоза с нашего склада или выбора других вариантов доставки по вашему усмотрению. Узнайте подробности о доставке у вашего персонального менеджера.
Технические характеристики N-канального полевого транзистора IRF640:
| Наименование транзистора | Структура | Максимальное напряжение сток-исток V DS |
Максимальное напряжение затвор-исток V GS |
Сопротивление канала в открытом состоянии R DS(on) при V GS = 4.5/10В |
Ток стока I D при T=25°C |
Заряд затвора Q g |
Температурный коэффициент сопротивления R jc |
Максимальная рассеиваемая мощность P d |
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| В | В | mΩ | А | нКл | °C/Вт | Вт | |||
| IRF640 | N-канал | 200 | 20 | 150.0 | 18 | 44.7 | 1.00 | 150 | TO-220AB |
Условные обозначения электрических параметров MOSFET транзисторов:
• V DS – Максимальное напряжение сток-исток. Максимальное напряжения сток-исток, которое не вызывает лавинного пробоя с затвором, замкнутым на исток.
• V GS – Максимальное напряжение затвор-исток. Предельно допустимое напряжение между выводами затвора и истока.
• RDS (on) – Максимальное сопротивление сток-исток. Сопротивление открытого канала сток-исток при указанном токе и напряжении затвор- исток.
• I D – Постоянный ток стока. Максимальный уровень непрерывного постоянного тока стока.
• Q g – Заряд затвора. Заряд, который нужно сообщить затвору для открытия транзистора.
• R jc – Температурный коэффициент сопротивления кристалл-корпус.
• P d – Максимальная рассеиваемая мощность транзистора.
Гарантия на изделие – транзистор IRF640
В зависимости от типа изделия предоставляется гарантия от 6 месяцев до 5 лет. Кроме того, вы можете приобрести расширенную гарантию.
Подготовка
После подтверждения вашего заказа, наш товар извлекается со склада и подвергается внимательной проверке. При необходимости проводится калибровка в нашей лаборатории. Товар снабжается всей необходимой технической документацией и дополняется запасными частями. На ваш запрос, мы также можем провести поверку, калибровку или аттестацию, выдав соответствующее свидетельство от Стандартметрологии.
Упаковка
Упаковка транзистора IRF640 может состоять из заводской и/или транспортной коробки. При упаковке используется гофрокартон, пенопласт, пупырчато-воздушную пленку. В отдельных случаях возможна поставка товара в транспортных деревяных или фанерных ящиках. Для габаритных поставок возможна транспортировка на паллетах.
