Транзистор IRF630N
Для оперативной связи оставьте в заявке данные компании и контактную информацию.
Пример заказа: “приобретение транзистора IRF630N в количестве 13 шт. Пожалуйста, уточните цену на указанный товар.”
Транзистор IRF630N n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 200 В.
Максимальный ток стока: 9,3 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,4 Ω.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.
В связи с высокой загрузкой отдела продаж, просьба отправлять заявки через удобные каналы: заполнение формы заказа на сайте, письма на почту или сообщения в Viber.
Чтобы подобрать аналог для транзистора IRF630N вы можете перейти в категорию Транзисторы импортные.
Копировать и распространять текстовый и графический материал на странице на транзистор IRF630N размещённого на electro-cable.com.ua разрешается только после письменного согласия правообладателя.
Другие обозначения для транзистора: IRF 630N, IRF-630N
Доставка
Оплаченный Вами товар транзистор IRF630N поставляется ТК «Новая Почта». Это оптимальное решение по цене и строкам доставки. Также, при необходимости, возможен самовывоз с нашего склада, курьерская доставка или использование других транспортных компаний. Детали доставки Вы можете обговорить с вашим персональным менеджером.
Технические характеристики N-канального полевого транзистора IRF630N:
| Наименование транзистора | Структура | Максимальное напряжение сток-исток V DS |
Максимальное напряжение затвор-исток V GS |
Сопротивление канала в открытом состоянии R DS(on) при V GS = 4.5/10В |
Ток стока I D при T=25°C |
Заряд затвора Q g |
Температурный коэффициент сопротивления R jc |
Максимальная рассеиваемая мощность P d |
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| В | В | mΩ | А | нКл | °C/Вт | Вт | |||
| IRF630N | N-канал | 200 | 20 | 300.0 | 9.5 | 23.3 | 1.83 | 82 | TO-220AB |
Условные обозначения электрических параметров MOSFET транзисторов:
• V DS – Максимальное напряжение сток-исток. Максимальное напряжения сток-исток, которое не вызывает лавинного пробоя с затвором, замкнутым на исток.
• V GS – Максимальное напряжение затвор-исток. Предельно допустимое напряжение между выводами затвора и истока.
• RDS (on) – Максимальное сопротивление сток-исток. Сопротивление открытого канала сток-исток при указанном токе и напряжении затвор- исток.
• I D – Постоянный ток стока. Максимальный уровень непрерывного постоянного тока стока.
• Q g – Заряд затвора. Заряд, который нужно сообщить затвору для открытия транзистора.
• R jc – Температурный коэффициент сопротивления кристалл-корпус.
• P d – Максимальная рассеиваемая мощность транзистора.
Гарантия на изделие – транзистор IRF630N
В зависимости от типа изделия предоставляется гарантия от 6 месяцев до 5 лет. Кроме того, вы можете приобрести расширенную гарантию.
Подготовка
После подтверждения вашего заказа, товар извлекается со склада для дополнительной проверки. При необходимости он калибруется в лаборатории. Товар комплектуется всей необходимой технической документацией и ЗИПом. По вашему запросу мы также предоставляем услуги по поверке, калибровке или аттестации с выдачей свидетельства Стандартметрологии.
Упаковка
При упаковке транзистора IRF630N у нас есть возможность использовать заводские или транспортные коробки. Мы применяем гофрокартон, пенопласт и пупырчато-воздушную пленку для обеспечения безопасности. В определенных ситуациях товар может быть поставлен в деревянных или фанерных ящиках. Также предусмотрена транспортировка на паллетах для крупногабаритных заказов.
