Транзистор IRF610

Цена по запросу 🛈
В наличии
Артикул: fw12976339 Категория: Транзисторы импортные

Оставьте реквизиты компании и Ваши контактные данные в заявке для оперативной связи.

Пример заказа: “приобретение транзистора IRF610 в количестве 17 шт. Пожалуйста, уточните цену на указанный товар.”

Транзистор IRF610 n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 200 В.
Максимальный ток стока: 3,3 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 1,5 Ω.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

Учитывая большую нагрузку на отдел продаж, мы рекомендуем использовать удобные способы подачи заявок: форма на сайте, электронная почта или Viber.

Чтобы подобрать аналог для транзистора IRF610 вы можете перейти в категорию Транзисторы импортные.

Публикация и использование текста и изображений с веб-страницы транзистора IRF610 (electro-cable.com.ua), разрешается лишь при наличии письменного разрешения владельца авторских прав.

Известные альтернативные наименования для транзистора: IRF 610, IRF-610

Доставка

Оплаченный Вами товар транзистор IRF610 поставляется ТК «Новая Почта». Это оптимальное решение по цене и строкам доставки. Также, при необходимости, возможен самовывоз с нашего склада, курьерская доставка или использование других транспортных компаний. Детали доставки Вы можете обговорить с вашим персональным менеджером.

Технические характеристики N-канального полевого транзистора IRF610:

Наименование транзистора Структура Максимальное
напряжение сток-исток
V DS
Максимальное
напряжение затвор-исток
V GS
Сопротивление канала в открытом состоянии
R DS(on) при V GS = 4.5/10В
Ток стока
I D при T=25°C
Заряд затвора
Q g
Температурный
коэффициент
сопротивления
R jc
Максимальная
рассеиваемая
мощность
P d
Тип корпуса
В В Ω А нКл °C/Вт Вт
IRF610 N-канал 200 20 1.5 3.3 1.2 43 TO-220AB

Условные обозначения электрических параметров MOSFET транзисторов:
V DS – Максимальное напряжение сток-исток. Максимальное напряжения сток-исток, которое не вызывает лавинного пробоя с затвором, замкнутым на исток.
V GS – Максимальное напряжение затвор-исток. Предельно допустимое напряжение между выводами затвора и истока.
RDS (on) – Максимальное сопротивление сток-исток. Сопротивление открытого канала сток-исток при указанном токе и напряжении затвор- исток.
I D – Постоянный ток стока. Максимальный уровень непрерывного постоянного тока стока.
Q g – Заряд затвора. Заряд, который нужно сообщить затвору для открытия транзистора.
R jc – Температурный коэффициент сопротивления кристалл-корпус.
P d – Максимальная рассеиваемая мощность транзистора.

Гарантия на изделие – транзистор IRF610

В зависимости от типа изделия предусмотрена гарантия от 6 месяцев до 5 лет. Также у вас есть возможность заказать дополнительное расширенное гарантийное обслуживание.

Подготовка

После подтверждения вашего заказа, наш товар извлекается со склада и подвергается внимательной проверке. При необходимости проводится калибровка в нашей лаборатории. Товар снабжается всей необходимой технической документацией и дополняется запасными частями. На ваш запрос, мы также можем провести поверку, калибровку или аттестацию, выдав соответствующее свидетельство от Стандартметрологии.

Упаковка

При упаковке транзистора IRF610 применяются заводская и/или транспортная коробка. Используются гофрокартон, пенопласт и пупырчато-воздушная пленка для надежной защиты. Иногда товар может быть поставлен в транспортных деревянных или фанерных ящиках. В случае габаритных поставок мы предоставляем транспортировку на паллетах.