Транзистор IRF530N
Для оперативной связи оставьте в заявке данные компании и контактную информацию.
Пример заказа: “приобретение транзистора IRF530N в количестве 17 шт. Пожалуйста, уточните цену на указанный товар.”
Транзистор IRF530N n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 100 В.
Максимальный ток стока: 17 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 90 mΩ.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.
С учётом повышенной нагрузки на отдел продаж, просим использовать удобные способы для отправки заявок: форма заказа на сайте, электронная почта или Viber.
Ищете аналоги для транзистора IRF530N? У нас есть разнообразие моделей, для сравнения.
Публикация и использование текста и изображений с веб-страницы транзистора IRF530N (electro-cable.com.ua), разрешается лишь при наличии письменного разрешения владельца авторских прав.
Другие обозначения для транзистора: IRF 530N, IRF-530N
Доставка
Оплаченный Вами товар транзистор IRF530N поставляется ТК «Новая Почта». Это оптимальное решение по цене и строкам доставки. Также, при необходимости, возможен самовывоз с нашего склада, курьерская доставка или использование других транспортных компаний. Детали доставки Вы можете обговорить с вашим персональным менеджером.
Технические характеристики N-канального полевого транзистора IRF530N:
| Наименование транзистора | Структура | Максимальное напряжение сток-исток V DS |
Максимальное напряжение затвор-исток V GS |
Сопротивление канала в открытом состоянии R DS(on) при V GS = 4.5/10В |
Ток стока I D при T=25°C |
Заряд затвора Q g |
Температурный коэффициент сопротивления R jc |
Максимальная рассеиваемая мощность P d |
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| В | В | mΩ | А | нКл | °C/Вт | Вт | |||
| IRF530N | N-канал | 100 | 20 | 90.0 | 17 | 24.7 | 1.9 | 79 | TO-220AB |
Условные обозначения электрических параметров MOSFET транзисторов:
• V DS – Максимальное напряжение сток-исток. Максимальное напряжения сток-исток, которое не вызывает лавинного пробоя с затвором, замкнутым на исток.
• V GS – Максимальное напряжение затвор-исток. Предельно допустимое напряжение между выводами затвора и истока.
• RDS (on) – Максимальное сопротивление сток-исток. Сопротивление открытого канала сток-исток при указанном токе и напряжении затвор- исток.
• I D – Постоянный ток стока. Максимальный уровень непрерывного постоянного тока стока.
• Q g – Заряд затвора. Заряд, который нужно сообщить затвору для открытия транзистора.
• R jc – Температурный коэффициент сопротивления кристалл-корпус.
• P d – Максимальная рассеиваемая мощность транзистора.
Гарантия на изделие – транзистор IRF530N
В зависимости от типа изделия предусмотрена гарантия от 6 месяцев до 5 лет. Также у вас есть возможность заказать дополнительное расширенное гарантийное обслуживание.
Подготовка
После подтверждения заказа, мы извлекаем товар со склада. После этого он проходит перепроверку и, если необходимо, калибровку в нашей лаборатории. Товар снабжается всей нужной технической документацией и комплектуется ЗИПом. По вашему запросу мы также можем провести поверку, калибровку или аттестацию с выдачей свидетельства Стандартметрологии.
Упаковка
Упаковка транзистора IRF530N может включать заводскую и/или транспортную коробку. Мы используем гофрокартон, пенопласт и пупырчато-воздушную пленку для надежной упаковки. По необходимости товар может поставляться в деревянных или фанерных ящиках. Для крупногабаритных поставок доступна транспортировка на паллетах.
