Транзистор IRF510
Для оперативной связи оставьте в заявке данные компании и контактную информацию.
Пример заявки: “намерен заказать 27 шт. транзистор IRF510 или аналог. Просьба уточнить стоимость.”
Транзистор IRF510 n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в телекоммуникационной, измерительной и контрольной технике, ограничителях тока, автоматике и другой радиоэлектронной аппаратуре.
Максимальное напряжение сток-исток: 100 В.
Максимальный ток стока: 5,6 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,54 Ом.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.
С учётом повышенной нагрузки на отдел продаж, просим использовать удобные способы для отправки заявок: форма заказа на сайте, электронная почта или Viber.
Проведите сравнение транзистора IRF510 с другими моделями, доступными у нас.
Копировать и распространять текстовый и графический материал на странице на транзистор IRF510 размещённого на electro-cable.com.ua разрешается только после письменного согласия правообладателя.
Дополнительные наименования для транзистора: IRF 510, IRF-510
Доставка
Позиция транзистор IRF510, которую вы заказали, будет отправлена ТК “Новая Почта”. Этот вариант доставки гарантирует оптимальные сроки и доступную стоимость. Возможны также самовывоз с нашего склада, курьерская доставка или выбор других служб доставки. Подробности о вариантах и условиях доставки доступны у вашего менеджера.
Технические характеристики N-канального полевого транзистора IRF510:
| Наименование транзистора | Структура | Максимальное напряжение сток-исток V DS |
Максимальное напряжение затвор-исток V GS |
Сопротивление канала в открытом состоянии R DS(on) при V GS = 4.5/10В |
Ток стока I D при T=25°C |
Заряд затвора Q g |
Температурный коэффициент сопротивления R jc |
Максимальная рассеиваемая мощность P d |
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| В | В | mΩ | А | нКл | °C/Вт | Вт | |||
| IRF510 | N-канал | 100 | 20 | 54.0 | 5.6 | 8.3 | – | 2.0 | TO-220AB |
Условные обозначения электрических параметров MOSFET транзисторов:
• V DS – Максимальное напряжение сток-исток. Максимальное напряжения сток-исток, которое не вызывает лавинного пробоя с затвором, замкнутым на исток.
• V GS – Максимальное напряжение затвор-исток. Предельно допустимое напряжение между выводами затвора и истока.
• RDS (on) – Максимальное сопротивление сток-исток. Сопротивление открытого канала сток-исток при указанном токе и напряжении затвор- исток.
• I D – Постоянный ток стока. Максимальный уровень непрерывного постоянного тока стока.
• Q g – Заряд затвора. Заряд, который нужно сообщить затвору для открытия транзистора.
• R jc – Температурный коэффициент сопротивления кристалл-корпус.
• P d – Максимальная рассеиваемая мощность транзистора.
Гарантия на изделие – транзистор IRF510
В зависимости о типа изделия, на него распространятся гарантия от 6 месяцев до 5 лет. Также Вы можете приобрести дополнительную расширенную гарантию.
Подготовка
После подтверждения вашего заказа, наш товар извлекается со склада и подвергается внимательной проверке. При необходимости проводится калибровка в нашей лаборатории. Товар снабжается всей необходимой технической документацией и дополняется запасными частями. На ваш запрос, мы также можем провести поверку, калибровку или аттестацию, выдав соответствующее свидетельство от Стандартметрологии.
Упаковка
Упаковка транзистора IRF510 может состоять из заводской и/или транспортной коробки. При упаковке используется гофрокартон, пенопласт, пупырчато-воздушную пленку. В отдельных случаях возможна поставка товара в транспортных деревяных или фанерных ящиках. Для габаритных поставок возможна транспортировка на паллетах.
