Транзистор биполярный 1Т313В
Для оперативной обратной связи укажите контакты предприятия в заявке.
Пример заявки: “намерен заказать 24 шт. транзистор биполярный 1Т313В или аналог. Просьба уточнить стоимость.”
Транзисторы 1Т313В германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ», «В».
Категория качества: «ОС».
Технические условия: ЖК3.365.161ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 1Т313В:
• Структура: p-n-p
• Рк max – Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 100 мВт;
• Fгр – Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 350 МГц;
• Uкбо – Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 12 В;
• Uэбо – Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 0,7 В;
• Iк max – Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА;
• Iкбо – Обратный ток коллектора – ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА при 12В;
• h21э – Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 30…230 при 5В; 5мА;
• Ск – Емкость коллекторного перехода: не более 2,5 пФ при 5В;
• Rкэ нас – Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 4,6 Ом;
• tк – Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 75 пс
В связи с высокой загрузкой отдела продаж, просьба отправлять заявки через удобные каналы: заполнение формы заказа на сайте, письма на почту или сообщения в Viber.
Чтобы подобрать аналог для транзистора биполярного 1Т313В вы можете перейти в категорию Транзисторы биполярные.
Размещение, копирование, использование текста и изображений, приведенных на странице транзистор биполярный 1Т313В (electro-cable.com.ua), возможны только после получения письменного согласия владельца авторских прав.
Дополнительные наименования для транзистора биполярного: 1T313V, 1Т 313В, 1Т-313В
Доставка
Заказанная Вами позиция – транзистор биполярный 1Т313В будет отправлена через службу доставки “Новая Почта”. Мы также предоставляем возможность самовывоза с нашего склада или выбора других вариантов доставки по вашему усмотрению. Узнайте подробности о доставке у вашего персонального менеджера.
Технические характеристики транзисторов 1Т313А, 1Т313Б, 1Т313В:
| Тип транзистора |
Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | T П max |
Т max |
|||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| I К max |
I К. И. max |
U КЭ R max (U КЭ 0 max) |
U КБ 0 max | U ЭБ 0 max | Р К max | h21Э | U КЭ нас. |
I КБО | f гp. | К Ш | С К | С Э | ||||
| мА | мА | В | В | В | мВт | В | мкА | МГц | дБ | пФ | пФ | °С | °С | |||
| 1Т313А | p-n-p | 50 | – | 12 | 12 | 0,7 | 100 | 10…230 | 0,7 | 5 | 300…1000 | 8 | 2,5 | 18 | 85 | -60…+70 |
| 1Т313Б | p-n-p | 50 | – | 12 | 12 | 0,7 | 100 | 10…75 | 0,7 | 5 | 450…1000 | 8 | 2,5 | 14 | 85 | -60…+70 |
| 1Т313В | p-n-p | 50 | – | 12 | 12 | 0,7 | 100 | 30…230 | 0,7 | 5 | 350…1000 | 8 | 2,5 | 14 | 85 | -60…+70 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• I К max – максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• I К. И. max – максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• U КЭ R max – максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• U КЭ 0 max – максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• U КБ 0 max – максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• U ЭБ 0 max – максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• Р К max – максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э – статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• U КЭ нас. – напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• I КБО – обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• f гр – граничная частота коэффициента передачи тока.
• К Ш – коэффициент шума транзистора.
• С К – емкость коллекторного перехода.
• С Э – емкость коллекторного перехода.
• Т П max – максимально допустимая температура перехода.
• Т max – максимально допустимая температура окружающей среды.
Гарантия на изделие – транзистор биполярный 1Т313В
Действует гарантийный срок от 6 месяцев до 5 лет в зависимости от типа товара. Приобретая у нас, вы можете расширить гарантию на дополнительные годы.
Подготовка
После подтверждения заказа товар достается со склада, перепроверяется и, при необходимости, калибруется в лаборатории, комплектуется технической документацией и ЗИПом. По отдельному запросу клиента также делается поверка, калибровка или аттестация с выдачей свидетельства Стандартметрологии.
Упаковка
Упаковка транзистора биполярного 1Т313В может состоять из заводской и/или транспортной коробки. При упаковке используется гофрокартон, пенопласт, пупырчато-воздушную пленку. В отдельных случаях возможна поставка товара в транспортных деревяных или фанерных ящиках. Для габаритных поставок возможна транспортировка на паллетах.
