Транзистор биполярный 1Т311Г

Цена по запросу 🛈
В наличии

Укажите в заявке контактные данные для оперативной связи с предприятием.

Пример заказа: “приобретение транзистора биполярного 1Т311Г в количестве 15 шт. Пожалуйста, уточните цену на указанный товар.”

Транзисторы 1Т311Г германиевые планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ», «В».
Технические условия: ЖК3.365.158ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 1Т311Г:
• Структура: n-p-n
• Рк max – Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• Fгр – Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой:   более 450 МГц;
• Uкбо – Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 12 В;
• Uэбо – Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2 В;
• Iк max – Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА;
• Iкбо – Обратный ток коллектора – ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА;
• h21Э – Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 30…80 при 3В; 5мА;
• Ск – Емкость коллекторного перехода: не более 2,5 при 5В пФ ;
• Rкэ нас – Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 20 Ом.

В связи с высокой загрузкой отдела продаж, просьба отправлять заявки через удобные каналы: заполнение формы заказа на сайте, письма на почту или сообщения в Viber.

Ищете аналоги для транзистора биполярного 1Т311Г? У нас есть разнообразие моделей, для сравнения.

Публикация и использование текста и изображений с веб-страницы транзистора биполярного 1Т311Г (electro-cable.com.ua), разрешается лишь при наличии письменного разрешения владельца авторских прав.

Дополнительные варианты обозначения для транзистора биполярного: 1T311G, 1Т 311Г, 1Т-311Г

Доставка

Приобретенный вами товар транзистор биполярный 1Т311Г будет отправлен вами через ТК “Новая Почта”. Это оптимальное решение с точки зрения цены и сроков доставки. Кроме того, у вас есть возможность выбрать самовывоз, курьерскую доставку или другую транспортную компанию. Подробности по доставке доступны у вашего персонального менеджера.

Характеристики транзисторов 1Т311А, 1Т311Б, 1Т311Г, 1Т311Д, 1Т311К, ГТ311Е, ГТ311Ж, ГТ311И:

Тип
транзистора
Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С T П
max
Т
max
I К
max
I К. И.
max
U КЭ R max
(U КЭ 0 max)
U КБ 0 max U ЭБ 0 max Р К max
К. И. max)
h21Э,
(h21э)
U КЭ
нас.
I КБО f гp.
(f h21)
К Ш С К С Э
мА мА В В В мВт В мкА МГц дБ пФ пФ °С °С
1Т311А n-p-n 50 12 12 2 150 15…180 0,3 5 1000 8 2,5 5 85 -60…+70
1Т311Б n-p-n 50 12 12 2 150 30…180 0,3 5 1000 8 2,5 5 85 -60…+70
1Т311Г n-p-n 50 12 12 2 150 30…80 0,3 5 1500 8 2,5 5 85 -60…+70
1Т311Д n-p-n 50 12 12 2 150 60…180 0,3 5 1500 8 2,5 5 85 -60…+70
1Т311К n-p-n 50 12 12 2 150 60…180 0,3 5 1500 8 2,5 5 85 -60…+70
ГТ311Е n-p-n 50 12 12 2 150 15…80 0,3 10 250 8 2,5 5 70 -40…+55
ГТ311Ж n-p-n 50 12 12 2 150 50…200 0,3 10 300 8 2,5 5 70 -40…+55
ГТ311И n-p-n 50 10 10 1,5 150 100…500 0,3 10 450 8 2,5 5 70 -40…+55

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
I К max – максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
I К. И. max – максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
U КЭ R max – максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
U КЭ 0 max – максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
U КБ 0 max – максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
U ЭБ 0 max – максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
Р К max – максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
Р К. И. max – максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
h21Э – статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
h21 Э – коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.
U КЭ нас. – напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
I КБО – обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
f гр – граничная частота коэффициента передачи тока.
f h 21 – предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.
К Ш – коэффициент шума транзистора.
С К – емкость коллекторного перехода.
С Э – емкость коллекторного перехода.
Т П max – максимально допустимая температура перехода.
Т max – максимально допустимая температура окружающей среды.

Гарантия на изделие – транзистор биполярный 1Т311Г

В зависимости от типа изделия предусмотрена гарантия от 6 месяцев до 5 лет. Также у вас есть возможность заказать дополнительное расширенное гарантийное обслуживание.

Подготовка

После подтверждения заказа товар достается со склада, перепроверяется и, при необходимости, калибруется в лаборатории, комплектуется технической документацией и ЗИПом. По отдельному запросу клиента также делается поверка, калибровка или аттестация с выдачей свидетельства Стандартметрологии.

Упаковка

При упаковке транзистора биполярного 1Т311Г применяются заводская и/или транспортная коробка. Используются гофрокартон, пенопласт и пупырчато-воздушная пленка для надежной защиты. Иногда товар может быть поставлен в транспортных деревянных или фанерных ящиках. В случае габаритных поставок мы предоставляем транспортировку на паллетах.