Модуль оптотиристорный МДТО4/3-80-12
Для оперативной обратной связи в заявке укажите реквизиты предприятия и Ваши контактные данные.
Пример заявки: “намерен заказать 24 шт. модуль оптотиристорный МДТО4/3-80-12 или аналог. Просьба уточнить стоимость.”
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных диода p-n и оптотиристора p-n-p-n.
Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии.
Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей.
Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи.
Обозначение типономинала и схемы соединения оптотиристоров приводится на корпусе.
Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии – 80А
Повторяющееся импульсное обратное напряжение – 1200В
Длина – 92 мм
Ширина – 20 мм
Высота – 30 мм
Масса модуля – 200 г.
Учитывая большой поток заказов, просьба выбирать удобные способы отправки заявок: через форму на сайте, на почту или в Viber.
Проведите сравнение модуля оптотиристорного МДТО4/3-80-12 с другими моделями, доступными у нас.
Публикация и использование текста и изображений с веб-страницы модуля оптотиристорного МДТО4/3-80-12 (electro-cable.com.ua), разрешается лишь при наличии письменного разрешения владельца авторских прав.
Известные альтернативные наименования для модуля оптотиристорного: MDTO4/3-80-12, МДТО 4/3-80-12, МДТО-4/3-80-12, МДТО4 3-80-12, МДТО4/3 80 12, МДТО4/38012
Доставка
Позиция модуль оптотиристорный МДТО4/3-80-12, которую вы заказали, будет отправлена ТК “Новая Почта”. Этот вариант доставки гарантирует оптимальные сроки и доступную стоимость. Возможны также самовывоз с нашего склада, курьерская доставка или выбор других служб доставки. Подробности о вариантах и условиях доставки доступны у вашего менеджера.
Технические характеристики модулей оптотиристорных МДТО4/3-80:
| Наименование оптотиристорного модуля |
Максимально допустимые значения параметров при Тп=100°С | Значения параметров при Тп=25°С | T j | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| I T(AV) | U DRM /U RRM | I DRM /I RRM | I TSM | r T | (du D /dt) crit | (di T /dt) crit | U TM | U T(TO) | i 2 t | I H | I GT | U GT | t gd | t q | R thjc | ||
| А | В | мА | А | Ом | В/мкс | А/мкс | В | В | кA 2 с | мА | мА | В | мкс | мкс | °С/Вт | °С | |
| МДТО4/3-80-4 | 80 | 400 | 6,0 | 1650 | 0,0026 | 0…320 | 100 | 1,75 | 1,1 | – | 70 | 80 | 1,6 | 15 | 100 | 0,3 | -40…+100 |
| МДТО4/3-80-5 | 80 | 500 | 6,0 | 1650 | 0,0026 | 0…320 | 100 | 1,75 | 1,1 | – | 70 | 80 | 1,6 | 15 | 100 | 0,3 | -40…+100 |
| МДТО4/3-80-6 | 80 | 600 | 6,0 | 1650 | 0,0026 | 0…320 | 100 | 1,75 | 1,1 | – | 70 | 80 | 1,6 | 15 | 100 | 0,3 | -40…+100 |
| МДТО4/3-80-7 | 80 | 700 | 6,0 | 1650 | 0,0026 | 0…320 | 100 | 1,75 | 1,1 | – | 70 | 80 | 1,6 | 15 | 100 | 0,3 | -40…+100 |
| МДТО4/3-80-8 | 80 | 800 | 6,0 | 1650 | 0,0026 | 0…320 | 100 | 1,75 | 1,1 | – | 70 | 80 | 1,6 | 15 | 100 | 0,3 | -40…+100 |
| МДТО4/3-80-9 | 80 | 900 | 6,0 | 1650 | 0,0026 | 0…320 | 100 | 1,75 | 1,1 | – | 70 | 80 | 1,6 | 15 | 100 | 0,3 | -40…+100 |
| МДТО4/3-80-10 | 80 | 1000 | 6,0 | 1650 | 0,0026 | 0…320 | 100 | 1,75 | 1,1 | – | 70 | 80 | 1,6 | 15 | 100 | 0,3 | -40…+100 |
| МДТО4/3-80-11 | 80 | 1100 | 6,0 | 1650 | 0,0026 | 0…320 | 100 | 1,75 | 1,1 | – | 70 | 80 | 1,6 | 15 | 100 | 0,3 | -40…+100 |
| МДТО4/3-80-12 | 80 | 1200 | 6,0 | 1650 | 0,0026 | 0…320 | 100 | 1,75 | 1,1 | – | 70 | 80 | 1,6 | 15 | 100 | 0,3 | -40…+100 |
Условные обозначения электрических параметров модулей оптотиристорных:
• I T – Постоянный ток в открытом состоянии.
• I TAV – Средний ток в открытом состоянии.
• U DRM – Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии.
• U RRM – Повторяющееся импульсное обратное напряжение.
• I DRM – Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии.
• I RRM – Повторяющийся импульсный обратный ток.
• I TSM – Ударный ток в открытом состоянии.
• r T – Динамическое сопротивление.
• (du D /dt) crit – Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии.
• (di T /dt) crit – Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии.
• U TM – Импульсное напряжение в открытом состоянии.
• U T(TO) – Пороговое напряжение.
• i 2 t – Защитный показатель.
• I H – Ток удержания.
• I GT – Отпирающий постоянный ток управления.
• U GT – Отпирающее постоянное напряжение управления.
• tq – Время выключения.
• tgt – Время включения.
• tgd – Время задержки включения.
• R thjc – Тепловое сопротивление переход-корпус.
• T j – Температура перехода.
Гарантия на изделие – модуль оптотиристорный МДТО4/3-80-12
В зависимости о типа изделия, на него распространятся гарантия от 6 месяцев до 5 лет. Также Вы можете приобрести дополнительную расширенную гарантию.
Подготовка
После подтверждения вашего заказа, товар извлекается со склада и проходит дополнительную проверку. При необходимости, товар проходит процедуру калибровки в нашей лаборатории. Весь процесс включает в себя не только подготовку технической документации и комплектацию запасными частями, но и заботливое отношение к каждой детали. По вашему запросу, мы также предоставляем услуги по поверке, калибровке или аттестации, выдав соответствующее свидетельство от Стандартметрологии.
Упаковка
При упаковке модуля оптотиристорного МДТО4/3-80-12 применяются заводская и/или транспортная коробка. Используются гофрокартон, пенопласт и пупырчато-воздушная пленка для надежной защиты. Иногда товар может быть поставлен в транспортных деревянных или фанерных ящиках. В случае габаритных поставок мы предоставляем транспортировку на паллетах.
