Транзистор IRFZ34N

Цена по запросу 🛈
В наличии
Артикул: fw12962191 Категория: Транзисторы импортные

Укажите в заявке контактные данные для оперативной связи с предприятием.

Пример заявки: “намерен заказать 13 шт. транзистор IRFZ34N или аналог. Просьба уточнить стоимость.”

Транзистор IRFZ34N N-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 55 В.
Максимальный ток стока: 30 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,035 Ω.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

С учётом повышенной нагрузки на отдел продаж, просим использовать удобные способы для отправки заявок: форма заказа на сайте, электронная почта или Viber.

Для выбора аналога транзистора IRFZ34N перейдите в раздел Транзисторы импортные.

Размещение, копирование, использование текста и изображений, приведенных на странице транзистор IRFZ34N (electro-cable.com.ua), возможны только после получения письменного согласия владельца авторских прав.

Известные альтернативные наименования для транзистора: IRFZ 34N, IRFZ-34N

Доставка

Заказанная Вами позиция – транзистор IRFZ34N будет отправлена через службу доставки “Новая Почта”. Мы также предоставляем возможность самовывоза с нашего склада или выбора других вариантов доставки по вашему усмотрению. Узнайте подробности о доставке у вашего персонального менеджера.

Технические характеристики N-канального полевого транзистора IRFZ34N:

Наименование транзистора Структура Максимальное
напряжение сток-исток
V DS
Максимальное
напряжение затвор-исток
V GS
Сопротивление канала в открытом состоянии
R DS(on) при V GS = 4.5/10В
Ток стока
I D при T=25°C
Заряд затвора
Q g
Температурный
коэффициент
сопротивления
R jc
Максимальная
рассеиваемая
мощность
P d
Тип корпуса
В В А нКл °C/Вт Вт
IRFZ34N N-канал 55 20 40.0 26 22.7 2.7 56 TO-220AB

Условные обозначения электрических параметров MOSFET транзисторов:
V DS – Максимальное напряжение сток-исток. Максимальное напряжения сток-исток, которое не вызывает лавинного пробоя с затвором, замкнутым на исток.
V GS – Максимальное напряжение затвор-исток. Предельно допустимое напряжение между выводами затвора и истока.
RDS (on) – Максимальное сопротивление сток-исток. Сопротивление открытого канала сток-исток при указанном токе и напряжении затвор- исток.
I D – Постоянный ток стока. Максимальный уровень непрерывного постоянного тока стока.
Q g – Заряд затвора. Заряд, который нужно сообщить затвору для открытия транзистора.
R jc – Температурный коэффициент сопротивления кристалл-корпус.
P d – Максимальная рассеиваемая мощность транзистора.

Гарантия на изделие – транзистор IRFZ34N

В зависимости о типа изделия, на него распространятся гарантия от 6 месяцев до 5 лет. Также Вы можете приобрести дополнительную расширенную гарантию.

Подготовка

После подтверждения заказа товар достается со склада, перепроверяется и, при необходимости, калибруется в лаборатории, комплектуется технической документацией и ЗИПом. По отдельному запросу клиента также делается поверка, калибровка или аттестация с выдачей свидетельства Стандартметрологии.

Упаковка

При упаковке транзистора IRFZ34N применяются заводская и/или транспортная коробка. Используются гофрокартон, пенопласт и пупырчато-воздушная пленка для надежной защиты. Иногда товар может быть поставлен в транспортных деревянных или фанерных ящиках. В случае габаритных поставок мы предоставляем транспортировку на паллетах.